В рамках работы круглого стола планируется обсуждение вопросов взаимодействия Омского НИИ приборостроения с профильными академическими институтами, а также вопросы становления Института радиофизики и физической электроники Омского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук.
Во время визита в ОНИИП гости посетят научно-технический комплекс микроэлектроники и дизайн-центр проектирования СБИС – «система на кристалле», а также ознакомятся с выставочной экспозицией в музее трудовой славы ОНИИП.
Завершится мероприятие совещанием, в работе которого примут участие представители омских промышленных предприятий. Участники заседания подведут итоги работы делегации, а также рассмотрят варианты сотрудничества в области создания новых разработок.
Сибирское отделение РАН – крупнейший интегратор и основной эксперт научно-исследовательских, научно-образовательных, опытно-конструкторских и производственных организаций востока России. Это самое мощное региональное отделение объединенной Российской академии наук. Научные центры СО РАН находятся в Новосибирске, Томске, Красноярске, Иркутске, Якутске, Улан-Удэ, Кемерово, Тюмени, Омске, отдельные институты работают в Барнауле, Бийске, Кызыле, Чите и других городах.
Сибирское отделение РАН осуществляет научно-методическое руководство 72 научно-исследовательскими институтами, работающими в сферах математики и информатики, энергетики, механики и процессов управления, нано- и информационных технологий, в области физики, химии, биологии, наук о Земле, экономических и гуманитарных, аграрных и медицинских наук, междисциплинарными исследованиями на стыке наук, а также научно-образовательным процессом в ряде университетов.