ОСОБЕННОСТИ РАЗРАБОТКИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ИМС НА ПРИМЕРЕ МШУ ДЛЯ ПРИЁМНИКА ГЛОНАСС/GPS ЧАСТЬ 2 . ИНТЕРФЕЙС «КРИСТАЛЛ ИМС – ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА»
ОСОБЕННОСТИ РАЗРАБОТКИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ИМС НА ПРИМЕРЕ МШУ ДЛЯ ПРИЁМНИКА ГЛОНАСС/GPS ЧАСТЬ 2 . ИНТЕРФЕЙС «КРИСТАЛЛ ИМС – ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА»
DOI
10.33286/2075-8693-2018-39-85-96
Авторы
Антонов Андрей Андреевич, канд. техн. наук, инженер-конструктор ООО «СибИС». E mail: antonov@sib-is.ru.
Сурин Игорь Константинович, инженер-конструктор ООО «СибИС», аспирант Новосибирского государственного технического университета. E mail: surin@sib-is.ru.
Шлёмин Дмитрий Львович, канд. техн. наук, начальник отдела схемотехники ООО «СибИС».
Гордиенко Сергей Михайлович, инженер-конструктор ООО «СибИС».
Сафонов Валерий Данилович, начальник СК ООО «СибИС».
Ключевые слова
малошумящие усилители, ГЛОНАСС, GPS, коэффициент шума, КМОП, корпус ИМС
Аннотация
При проектировании кристаллов ИМС разработчики не всегда учитывают конструктивные особенности конечного изделия (корпус и технологии монтажа). Для быстродействующих и радиочастотных ИМС учёт этих особенностей является необходимым условием для сохранения параметров, достигнутых на этапе моделирования электрической схемы кристалла ИМС. В данной работе на примере разработки ИМС радиочастотного тракта навигационного приёмника ГЛО-НАСС/GPS, выполненного по технологии КМОП с проектными нормами 130 нм, показаны особенности проектирования топологии высокочастотных блоков с учётом интерфейса «кристалл – печатная плата». Вторая часть работы посвящена интерфейсу «кристалл – печатная плата» (разварочные траверсы, контакты и выводы корпуса).
Литература
1. Особенности разработки высокочастотных ИМС на примере МШУ для приёмника ГЛОНАСС/GPS. Часть 1. Топологическая реализация кристалла ИМС / А. А. Антонов, И. К. Сурин, Д. Л. Шлёмин, С. М. Гордиенко, В. Д. Сафонов // Техника радиосвязи. 2018. Вып. 3 (38). С. 91?100.
2. Спецификации выпускаемых типов корпусов [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://integral.by/sites/default/files/type_koptysov.pdf.
3. Quad Flat Pack No-Lead (QFN), Freescale Semiconductor Application note AN1902, Rev. 3.0, 2005 [Электронный ресурс] Режим доступа: https://data.kemt.fei.tuke.sk/MikroprocesorovaTechnika/_materialy/Diplomanti/ZigBee/Reference_Design/AN1902.pdf. 4. Isikhan M., Richter A. CMOS low noise amplifiers for 1.575 GHz GPS applications // Advances in Radio Science. Vol. 7, 2009, May 2009, pp.145–150.
5. Leroux P., Steyaert M. LNA-ESD Co-Design for Fully Integrated CMOS Wireless Re-ceivers // Springer Science & Business Media, 2005. 187 pages.
6. Lerner L. Physics for scientists and engineers / Jones & Bartlett, 1997, pp. 732–733.
7. Harman G. G. Wire Bonding in Microelectronics: Materials, Processes, Reliability, and Yield / 2-d ed., McGraw-Hill, 1997. 290 pages.
8. Rosa E. B. The Self and Mutual Inductances of Linear Conductors // Bulletin of the Bureau of Standards, vol. 4 № 2, 1908, pp. 301–344.
9. Monthei D. L. Package Electrical Modeling, Thermal Modeling, and Processing for GaAs Wireless Applications / Kluwer Academic Publishers, 1999. 234 pages.
10. Weeks W. L. Transmission and Distribution of Electrical Energy / Harper & Row, 1981. 318 pages.
11. Mostafa M. A. L., Schlang J., Lazar S. On-chip RF filters using bond wire inductors // Proceedings 14th Annual IEEE International ASIC/SOC Conference (IEEE Cat. No.01TH8558), Arlington, VA, 2001, pp. 98–102. 12. M-QFN Open cavity (air cavity) packages family [Электронный ресурс] Режим доступа: http://www.mirrorsemi.com/OpenChip.html.
Для цитирования
Особенности разработки высокочастотных ИМС на примере МШУ для приёмника ГЛОНАСС/GPS. Часть 2. Интерфейс «кристалл ИМС – печатная плата» / А. А. Антонов, И. К. Сурин, Д. Л. Шлёмин, С. М. Гордиенко, В. Д. Сафонов // Техника радиосвязи. 2018. Вып. 4 (39). С. 85−96.