ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДОВ СКАНИРУЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОСИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРИРОДЫ МИКРОДЕФЕКТОВ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ N-ТИПА
ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДОВ СКАНИРУЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОСИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРИРОДЫ МИКРОДЕФЕКТОВ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ N-ТИПА
Давлеткильдеев Надим Анварович, канд. физ.-мат. наук, доцент, старший научный сотрудник ОНЦ СО РАН, доцент ОмГУ им. Ф.М. Достоевского, e-mail: nadim@obisp.oscsbras.ru.
1. Кульчицкий Н. А., Маянов Е. П., Наумов А. В. Арсенид галлия и приборы нано-, микро- и оптоэлектроники на его основе // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19, № 4. С. 207–214.
2. Frigeri C., Weyher J. L., Jiménez J., Martín P. Analysis of Large Impurity Atmospheres at Dislocations and Associated Point Defect Reactions in Dilllerently n-Doped GaAs Crystals // J. Phys. III France. 1997. Vol. 7, no. 12, pp. 2339–2360.
3. Davletkildeev N. A., Nukenov M. M., Sologub N. V. Phase composition of microdefects in heavily doped n-GaAs // Physica B: Condensed Matter. 2009. Vol. 404, no. 23–24, pp. 4988–4991.
4. Sze S. M. Modern Semiconductor Device Physics. N. Y. : John Wiley & Sons, Inc., 1998.