ЧАСТОТНАЯ ПОДСТРОЙКА STW-РЕЗОНАТОРОВ С РАБОЧЕЙ ЧАСТОТОЙ ДО 1 ГГЦ
DOI
10.33286/2075-8693-2021-48-79-85
Авторы
Кузнецов Александр Николаевич, сотрудник АО «ОНИИП»; e-mail: trs@oniip.ru.
Доберштейн Сергей Александрович, канд. техн. наук, сотрудник АО «ОНИИП»; e-mail: trs@oniip.ru.
Веремеев Иван Васильевич, сотрудник АО «ОНИИП»; e-mail: trs@oniip.ru.
Ключевые слова
поверхностные поперечные волны, резонатор, добротность, частотная под-стройка, вносимые потери
Аннотация
Представлены данные по частотной подстройке методом плазмохимического травления одновходовых STW-резонаторов в диапазоне частот 500–1000 МГц. Приведены основные параметры резонаторов после частотной подстройки: точность установки центральной частоты <±100·10–6, добротность 8600–9500, элементы эквивалентной схемы, необходимые для практического использования STW-резонаторов.
Литература
1. Kim C. U., Plessky V. P., Wang W., Grigorievski V. I. High Q-factor STW-Resonators on AT-Cut of Quartz // Proc. IEEE Ultrasonics Symposium. 2007. P. 2582–2585.
2. Doberstein S. A., Veremeev I. V. STW Resonators with the high quality factor and reduced sizes // Proc. IEEE Ultrasonics Symposium. 2019. P. 691–694.
3. Avramov I. D. Surface Transverse Wave Resonators in Lower GHz Frequency Range // International Journal of High Speed Electronics and Systems. 2000. Vol. 10. P. 735–792.
4. Uno T. Frequency Trimming of SAW Devices // Proc. IEEE Ultrasonics Symposium. 1994. P. 181–187.
5. D’Agostino R., Cramarossa F., Ferraro G. Spectroscopic diagnostics of CF4 – O2 plasmas during Si and SiO2 etching processes // J. Appl. Phys. 1981. Vol. 52. P. 1259.
6. Coburn L. W., Winters H. F. Plasma etching – A discussion of mechanisms // J. Vac. Sci. Technol. 1979. Vol. 16 (2). P. 391.
7. Flip-Chip STW Filters and Frequency Trimming Method / H. Yatsuda [et al.] // Proc. IEEE International Frequency Control Symposium. 2002. P. 366–369.
Для цитирования
Кузнецов А. Н., Доберштейн С. А., Веремеев И. В. Частотная подстройка STW-резонаторов с рабочей частотой до 1 ГГц // Техника радиосвязи. 2021. Выпуск 1 (48). С. 79–85. DOI: 10.33286/2075-8693-2021-48-79-85.